合肥Ag靶材

东莞市鼎伟靶材有限公司是专业生产高纯金属材料，蒸发镀膜材料以及溅射靶材的**企业应用开发的科技型民营股份制工贸有限公司。公司以青岛大学和青岛科技大学蒸发材料专业为技术依托，拥有多名中高级专业技术人员和专业化应用实验室，具有很强的蒸发材料开发能力。公司先后研发的蒸发材料、溅射靶材系列产品广泛应用到国内外众多**电子、太阳能企业当中，以较高的性价比，成功发替代了国外进口产品，颇受用户好评。
合肥Ag靶材
东莞市鼎伟靶材有限公司
联系人：肖先生
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公司主要经营产品：
一、真空镀膜材料
1．高纯真空溅射靶材（99.9％——99.999％）
高纯金属靶材：锆靶Zr、铬靶Cr、钛靶Ti、铝靶Al、锡靶Sn、钒靶V、锑靶Sb、铟靶、硼靶B、钨靶W、锰靶Mn、铋靶Bi、铜靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、钽靶 Ta、锌靶Zn、镁靶Mg、铌靶Nb、钼靶Mo、钴靶Co、铁靶Fe、锗靶Ge、铪靶Hf、铅靶Pb、镍靶Ni、银靶Ag、硒靶Se、铍靶Be、碲靶Te、不锈钢靶材S.S等……
多元合金靶材： 钛铝靶Ti-Al、钛锆靶Ti-Zr、钛硅靶Ti-Si、钛镍靶Ti-Ni、镍铬靶Ni-Gr、镍铝靶Ni-Al、镍钒靶Ni-V、镍铁靶Ni-Fe、铁钴靶Fe-Co、铝硅靶Al-Si、钛硅靶Ti-Si、铬硅靶Cr-Si、锌铝靶Zn-Al、钛锌靶材Ti-Zn、铝硅铜靶Al-Si-Cu等……
陶瓷溅射靶材：ITO靶、单晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化钛靶TiO2、氧化锆靶ZrO2、二硼化钛靶TiB2、氧化镁靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二钇靶Y2O3、五氧化二钒靶V2O5、氧化锌靶ZnO、硫化锌靶ZnS、硫化钼靶MoS、硫化钨靶WS、氧化锌铝靶ZAO、氧化铝靶Al2O3、钛酸锶靶SrTiO3、五氧化二钽靶Ta2O5、五氧化二铌靶Nb2O5、氧化锌镓靶ZGO、氧化锌硼靶ZBO、砷化镓靶GaAs，磷化镓靶GaP，硒化锌靶、锰酸锂靶、镍钴酸锂靶、钽酸锂靶，铌酸锂靶、等…
稀土金属靶：镧靶、铈靶、镨靶、钕靶、钐靶、铕靶、钆靶、铽靶、镝靶、钬靶、铒靶、铥靶、镱靶、镥靶、钇靶等…
稀土氧化物靶：氧化镧靶、氧化铈靶、氧化镨靶、氧化钐靶、氧化铕靶、氧化钕靶、氧化钆靶、氧化铽靶、氧化镝靶、氧化钬靶、氧化铒靶、氧化铥靶、氧化镱靶、氧化镥靶
金属膜电阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu溅射靶材：
金属膜电阻器用靶材包括高阻系列（ZYG）、中阻系列（ZYZ）和低阻系列（ZYC）、**低阻系列（ZYCD）。
2．高纯光学镀膜材料（99.99％——99.999％）
氧化物：一氧化硅、二氧化硅、一氧化钛、二氧化钛、三氧化二钛、五氧化三钛、二氧化锆、二氧化铪、二氧化铈、二钛酸镨、三氧化钨、五氧化二钽、五氧化二铌、三氧化二钪、三氧化二铝、三氧化二铟、氧化镱、氧化锌、氧化镁、氧化钆、氧化钐、氧化钕、氧化钙、氧化镨、氧化铋、氧化铬、氧化镍、氧化铜、氧化铁、氧化钒等…
氟化物：氟化镁、氟化钙、氟化钕、氟化镧、氟化镱、氟化钇、氟化铒、氟化钐、氟化镝、氟化铈、氟化钡、氟化锶、氟化钾、氟化钠等…
硫化物：硫化锌、硫化钼、硫化钙、硫化锑、硫化铁、硫化钠等…


名称
尺寸
纯度
银丝（Ag）
Φ0.2—1.0mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+% 99.9999% 99.9999+%
Φ1.0—3.0mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+% 99.9999% 99.9999+%
Φ3.0—6.0mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.9995+% 99.9999% 99.9999+%
银片（Ag）
50*50*(0.2-1.5)mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
100*100*(0.2-1.5)mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
200*250*(0.2-1.5)mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
银棒（Ag）
Φ（10-152.4）*1000mmT(不是联系方式)
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ25.4*1000mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ50.8*500mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ76.2*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ101.6*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ127*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ152.4*200mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
银粒（Ag）
  1-10mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ2*10mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ3*3mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ3*10mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ6*6mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
Φ6*12mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
银块（Ag）
10-100mm
99.9% 99.99% 99.999% 99.999+% 99.9999% 99.9999+%
银粉（Ag）
0.5-75um
99.5% 99.9% 99.95% 99.99%
标准包装为：100g 250g 500g 1000g 10kg 25kg 50kg
靶材的主要性能要求:
纯度
纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。
杂质含量
靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。
【原创内容】
气体(氩气或氧气)必须清洁并干燥，溅镀腔内装入基材后便需将空气抽出，达到工艺所要求的真空度。暗区屏蔽罩，腔体壁及邻近表面也需要保持洁净。在清洗真空腔体时我们建议采需要进行高温帖合的条件下，无氧化铜容易被氧化和发生翘曲,所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金用户对背靶的检查结果，如我们发现有需要维修的地方会书面通知客户并提供维修报价。影响靶材中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应需要进行高温帖合的条件下，无氧化铜容易被氧化和发生翘曲,所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配，同样也需要使用金用。靶材进行预溅射时建议慢慢加大溅射功率，陶瓷类靶材的功率加大速率建议为1.5W小时/平方厘米。金属类靶材的预溅射速度可以比陶瓷靶材块，一个合理的功率加大速率为
大部分背靶可以重复使用，尤其是采用金属铟进行帖合的比较容易进行清洁和重新使用。如果是采用其他帖合剂（包括环氧树脂）则可能需要采用机械处理的方式对背靶表面处理后才
大部分背靶可以重复使用，尤其是采用金属铟进行帖合的比较容易进行清洁和重新使用。如果是采用其他帖合剂（包括环氧树脂）则可能需要采用机械处理的方式对背靶表面处理后才 用户对背靶的检查结果，如我们发现有需要维修的地方会书面通知客户并提供维修报价。影响靶材中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应