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东莞市鼎伟新材料有限公司专业生产:镍钒合金靶、高纯铬靶、钛铝靶、铬铝靶、镍铬合金靶、钨钛合金靶材等;公司先后研发的蒸发材料、溅射靶材系列产品广泛应用到国内外众多知名电子、太阳能企业当中,以较高的性价比,成功发替代了国外进口产品,颇受用户好评。

武汉金靶材
  • 武汉金靶材

产品描述

包装说明精包装
东莞市鼎伟靶材有限公司是专业生产高纯金属材料,蒸发镀膜材料以及溅射靶材的**企业应用开发的科技型民营股份制工贸有限公司。公司以青岛大学和青岛科技大学蒸发材料专业为技术依托,拥有多名中高级专业技术人员和专业化应用实验室,具有很强的蒸发材料开发能力。公司先后研发的蒸发材料、溅射靶材系列产品广泛应用到国内外众多**电子、太阳能企业当中,以较高的性价比,成功发替代了国外进口产品,颇受用户好评。
武汉金靶材
东莞市鼎伟靶材有限公司
联系人:肖先生
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公司主要经营产品:
一、真空镀膜材料
1.高纯真空溅射靶材(99.9%——99.999%)
高纯金属靶材:锆靶Zr、铬靶Cr、钛靶Ti、铝靶Al、锡靶Sn、钒靶V、锑靶Sb、铟靶、硼靶B、钨靶W、锰靶Mn、铋靶Bi、铜靶Cu、石墨靶C、硅靶 Si、钽靶 Ta、锌靶Zn、镁靶Mg、铌靶Nb、钼靶Mo、钴靶Co、铁靶Fe、锗靶Ge、铪靶Hf、铅靶Pb、镍靶Ni、银靶Ag、硒靶Se、铍靶Be、碲靶Te、不锈钢靶材S.S等……
多元合金靶材: 钛铝靶Ti-Al、钛锆靶Ti-Zr、钛硅靶Ti-Si、钛镍靶Ti-Ni、镍铬靶Ni-Gr、镍铝靶Ni-Al、镍钒靶Ni-V、镍铁靶Ni-Fe、铁钴靶Fe-Co、铝硅靶Al-Si、钛硅靶Ti-Si、铬硅靶Cr-Si、锌铝靶Zn-Al、钛锌靶材Ti-Zn、铝硅铜靶Al-Si-Cu等……
陶瓷溅射靶材:ITO靶、单晶硅靶、多晶硅靶、一氧化硅靶SiO、二氧化硅靶SiO2、二氧化钛靶TiO2、氧化锆靶ZrO2、二硼化钛靶TiB2、氧化镁靶MgO、碳化硼靶BC、氮化硼靶BN、碳化硅靶SiC、三氧化二钇靶Y2O3、五氧化二钒靶V2O5、氧化锌靶ZnO、硫化锌靶ZnS、硫化钼靶MoS、硫化钨靶WS、氧化锌铝靶ZAO、氧化铝靶Al2O3、钛酸锶靶SrTiO3、五氧化二钽靶Ta2O5、五氧化二铌靶Nb2O5、氧化锌镓靶ZGO、氧化锌硼靶ZBO、砷化镓靶GaAs,磷化镓靶GaP,硒化锌靶、锰酸锂靶、镍钴酸锂靶、钽酸锂靶,铌酸锂靶、等…
稀土金属靶:镧靶、铈靶、镨靶、钕靶、钐靶、铕靶、钆靶、铽靶、镝靶、钬靶、铒靶、铥靶、镱靶、镥靶、钇靶等…
稀土氧化物靶:氧化镧靶、氧化铈靶、氧化镨靶、氧化钐靶、氧化铕靶、氧化钕靶、氧化钆靶、氧化铽靶、氧化镝靶、氧化钬靶、氧化铒靶、氧化铥靶、氧化镱靶、氧化镥靶
金属膜电阻器用Ni-Cr-Si/ Ni-Cr-Mn-Cu溅射靶材:
金属膜电阻器用靶材包括高阻系列(ZYG)、中阻系列(ZYZ)和低阻系列(ZYC)、**低阻系列(ZYCD)。
2.高纯光学镀膜材料(99.99%——99.999%)
氧化物:一氧化硅、二氧化硅、一氧化钛、二氧化钛、三氧化二钛、五氧化三钛、二氧化锆、二氧化铪、二氧化铈、二钛酸镨、三氧化钨、五氧化二钽、五氧化二铌、三氧化二钪、三氧化二铝、三氧化二铟、氧化镱、氧化锌、氧化镁、氧化钆、氧化钐、氧化钕、氧化钙、氧化镨、氧化铋、氧化铬、氧化镍、氧化铜、氧化铁、氧化钒等…
氟化物:氟化镁、氟化钙、氟化钕、氟化镧、氟化镱、氟化钇、氟化铒、氟化钐、氟化镝、氟化铈、氟化钡、氟化锶、氟化钾、氟化钠等…
硫化物:硫化锌、硫化钼、硫化钙、硫化锑、硫化铁、硫化钠等…

金靶(Au)
名称
尺寸
纯度
金丝(Au)
Φ0.001mm—1.0mm
99.99% 99.995% 99.999%
金丝(Au)
Φ1.0mm—3.0mm
99.99% 99.995% 99.999%
金粒(Au)
Φ2*5mm or Φ2*10mm
99.99% 99.995% 99.999%
金粒(Au)
Φ3*3mm or Φ3*5mm
99.99% 99.995% 99.999%
金片(Au)
T 0.10mm—T 2mm
99.99% 99.995% 99.999%
金粉(Au)T(不是联系方式)
0.01um—1.0um 1-5um -200目 -325目
99.99%
标准包装为:100g 250g 500g 1000g 10kg 25kg 50kg

靶材的主要性能要求:
纯度
纯度是靶材的主要性能指标之一,因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中,对靶材的纯度要求也不尽相同。例如,随着微电子行业的迅速发展,硅片尺寸由6”, 8“发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um,以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求,而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。
杂质含量
靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如,半导体工业用的纯铝及铝合金靶材,对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。

【原创内容】
气体(氩气或氧气)必须清洁并干燥,溅镀腔内装入基材后便需将空气抽出,达到工艺所要求的真空度。暗区屏蔽罩,腔体壁及邻近表面也需要保持洁净。在清洗真空腔体时我们建议采提供的已使用过的背靶后,我们会首先进行卸靶处理(如适用)并且对背靶进行完全检查,检查的重点包括背靶的平整度,完整性及密封性等。我们会通知用户对背靶的检查结果,如用玻璃球抛丸法处理有污垢的部件同时用压缩空气清除腔体四周前期溅射剩余物,再用氧化铝浸渍过的沙纸轻轻的对表面进行抛光。纱纸抛光后,再用酒精,丙酮和去离子水清洗,同属钼作为背靶材料。不锈钢管(SST)–目前较常使用不锈钢管作为旋转靶材的背管,因为不锈钢管具有良好的强度和导热性而且非常经济二、背靶重复使用大部分背靶可以重复使用,尤是无氧铜,因为无氧铜具有良好的导电性和导热性,而且比较容易机械加工。如果保养适当,无氧铜背靶可以重复使用10次甚至更多。钼(Mo)–在某些使用条件比较特殊的情况下,如需要进行高温帖合的条件下,无氧化铜容易被氧化和发生翘曲,所以会使用金属钼为背靶材料或某些靶材如陶瓷甚至某些金属靶材的热膨胀系数无法与无氧铜匹配,同样也需要使用金直接影响真空度获得和增加成膜失败的可能性。短路或靶材起弧,成膜表面粗糙及化学杂质含量**标经常是由于不洁净的溅射室、溅射枪和靶材引起的。为保持镀膜的成分特性,溅射用。靶材进行预溅射时建议慢慢加大溅射功率,陶瓷类靶材的功率加大速率建议为1.5W小时/平方厘米。金属类靶材的预溅射速度可以比陶瓷靶材块,一个合理的功率加大速率为

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